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由于产品是通过微组装技术实现其高密度集成的

发布时间:2021-02-18 11:53 作者:亚博网页版

  电子微组装可靠性设计的挑战,来自两个方面:一是高密度组装的失效与控制;二是微组装可靠性的系统性设计。

  高密度组装的代表性互连模式有两类,一类是元器件高密度组装,有两种典型的芯片组装方式,即芯片并列式组装(2D)和3D-芯片堆叠组装结构叠层式,如图1和图2所示;另一类是高密度微互连,例如,3D叠层芯片TSV硅通孔、高密度低拱形丝键合,如图3和图4所示。

  从电子微组装的发展趋势可以看出,微组装技术的发展必然带来产品的更高密度封装,而高密度封装的可靠性问题,主要是产品内部热流密度增加导致的温升、微互连间距减小导致的短路风险、封装体内元器件电磁干扰及潜在传播路径等问题。

  2D-IC或3D-IC的高密度组装方式,面临的严重问题是如何散热,这一问题已成为限制高密度集成特别是三维集成技术发展的瓶颈。微组装产品中的有源器件芯片,是微组装产品的主要热源,由于高密度组装,产品热功率密度(W/mm2)增大,芯片之间、芯片与元件之间热耦合效应突出。这时,芯片PN结温TJ或沟道温度Tch,以及元件热点温度THS,不仅仅取决于器件自身功耗大小,还取决于邻近元器件的功耗以及相互间的热耦合效应,内装元器件组装密度越高,芯片间的热耦合效应就越明显,引起芯片额外的温升就越高,使得元器件温度余量减少、有机材料加快老化。

  尽管针对高密度封装稳态、瞬态热管理问题,人们开展了大量研究,提出了各种热分析方法和散热设计方法。例如,2009年ITRS组装封装技术工作组,在SiP组装封装技术报告中,对于SiP叠层芯片热设计和热管理,提出了针对系统热点和功耗控制的热设计基本原则,在考虑最坏情况和典型使用条件下,建议将最大功耗芯片叠层在底部的主要散热面,最小功率芯片叠层在顶部,并设计基板埋置热沉和系统压电散热器,以保证顶部芯片热点温度控制和系统级散热管理。但是,组装密度不断提升和产品体积不断缩小的市场需求,不断给更高封装密度的热设计带来新的挑战。

  TSV通孔技术是实现芯片3D叠层组装的关键技术。作为多芯片层间互连的TSV通孔,由于有较高的深宽比,以及通孔工艺和结构特性,与基板通孔结构相比,TSV通孔结构面临更严重的热应力机械应力带来的可靠性问题。例如,铜填充的TSV在温度变化应力作用下,铜硅热膨胀失配可能导致TSV的硅基板开裂;TSV与倒装芯片凸点互连的金属间化合物(IMC)在温变剪切应力作用下可能断裂。

  针对3D封装中,TSV通孔的可靠性和失效问题,人们开展了大量研究。例如,对3D封装TSV结构热膨胀行为进行了研究,分析了Si/Cu结构的CTE失配结果,认为在温度变化过程中,TSV邻近Si的最大应力是张应力,但同时由于叠片结构中TSV通孔的存在,可以降低芯片分层的风险;对超薄芯片堆叠的3D集成组装技术和失效问题进行了研究,认为芯片减薄过程的机械损伤给芯片叠层组装带来潜在问题,当芯片堆叠厚度和TSV数量增加时热膨胀失配更为严重,温变应力下顶层芯片互连点将面临更严酷的可靠性问题,需要设计合适的TSV尺寸并优选材料,以提高温变环境的适应性;对基于TSV的片上网络芯片(3DNoC)可靠性问题的研究,认为3DNoC中TSV的主要失效问题,有TSV硅片翘曲、TSV层间垂直连接、CTE失配引起的热应力问题;对三维芯片堆叠高深宽比(h/d)的Cu通孔互连研究,认为Cu电镀工艺优化是获得良好导电通道的关键;对基于TSV的2.5D和3D堆叠IC模块的测试研究,提出了包含TSV通孔信息的测试流程、测试内容、测试端口的解决方案。

  ●TSV硅片尺度因素、Cu与Si之间CTE差异因素,引起TSV通孔界面应力集中;

  ●场效应管(FET)对应力敏感,FET电性能变化与其和TSV的距离有关,影响FET耗损;

  ●TSV硅(Si)片非常薄(《100μm),远比传统器件芯片薄,更易碎或开裂;

  ●薄型TSV硅片(《100μm),在温循中易翘曲,可能导致与芯片互连的开路,或芯片堆叠工艺中使溶化的芯片倒装凸点焊球在侧面短路;

  ●TSV通孔侧壁的硅氧化绝缘层,可能存在缺陷,导致Cu通路与硅片存在潜在漏电通路。

  从产品层面来看,为提升TSV互连的可靠性,人们关注的热点问题仍是满足可靠性要求的TSV尺寸、材料的设计,目前商业化SiP产品的TSV解决方案,设计了针对2.5D和3D封装的TSV结构和线上/线下测试方法(MEOL)。不过,尽管TSV技术在高密度集成方面具有绝对优势,但TSV技术的高成本和可靠性潜在问题,仍是目前其拓展应用过程中最具挑战的问题。

  电子微组装的其他失效问题,还包括丝键合界面退化、芯片黏结强度退化、黏结胶老化等互连问题,内装元器件高密度组装和布线布局带来的电磁干扰和潜在传播路径问题,以及封装盖板开裂、玻璃绝缘子泄漏、水汽渗入等封装问题。

  需要强调的是,微组装失效模式和失效机理,与其承受的载荷应力类型及应力大小直接相关,系统性梳理这些失效模式、失效机理及相关载荷应力,形成失效模式机理库,是微组装可靠性设计的重要基础支撑。ITRS组装封装技术工作组,在2009年的报告中,对系统级封装(SiP)的4类典型失效机理、相关失效的应力和失效部位进行了归纳和分类。SiP失效机理分类及失效原因见表1。

  针对微组装可靠性要求的系统性设计,关键要解决三方面问题:针对高密度组装封装失效的系统性控制设计、微组装可靠性与性能及制造的协同设计、微组装产品多机理失效的可靠性建模。

  面对高密度组装封装带来的各种失效问题,如何系统性分析和设计,全面有效地控制失效,是解决微组装可靠性设计问题需要面临的挑战之一。

  从大量的分立器件、HIC、MCM、微波组件、电真空器件失效分析案例和使用背景可以看出,产品封装失效与其使用环境或直接载荷应力有关。例如,气密封装HIC,内装裸芯片键合盘(pad)铝膜腐蚀导致内引线键合点开路失效,与HIC内部水汽含量、pad沾污、环境温度有关,一旦pad表面达到三个水分子层厚度的水膜,表面腐蚀即发生,水汽含量、环境温度、沾污,这三类应力是导致铝pad失效的直接应力因素;再如,微波功率管,烧毁失效模式,与管子的温度载荷应力和电载荷应力有关,基板与底座焊接空洞的出现是温度过高的原因,输出匹配电容击穿是电载荷过应力的原因。通过应力类别及应力来源分析,可以有效发现设计或工艺控制中存在的问题。各类载荷应力下的典型微组装失效模式如下。

  ●温度应力类失效:高温导致的有机材料、内装元器件退化,温变导致的焊点疲劳等;

  ●机械应力类失效:机械振动导致封装盖板疲劳开裂,机械冲击导致内装元器件黏结脱落等;

  ●耦合应力类失效:温变/振动致焊点低/高周加速疲劳,低电压/温度/湿度致电化学迁移等。

  因此,以载荷应力类型为主线,对各类微组装进行可靠性设计的方法,是贯穿可靠性物理思想、系统实施失效控制的一种设计思路,在方法层面,能够覆盖现有的和今后新型的微组装可靠性设计。从可靠性的基本概念来理解,如果可靠性定义中,用“可靠度”来度量微组装的可靠性,把“规定的条件和规定的时间”视为可靠性的应力约束条件,则从数学、物理的角度进一步解读可靠性定义,可以认为可靠性在数学上强调产品完成规定功能的概率即可靠度R(t),在物理上强调产品达到预期可靠度的应力约束条件[Fr(i,j)](m+1)×n。所以,以载荷应力为主线的可靠性设计思想和方法,具有更强的基础性、系统性和清晰的物理意义,强化了基于失效物理(PoF)的可靠性设计理念,这也正是本书的核心思想。但是,基于失效物理并以载荷应力为主线的可靠性设计方法,难点是载荷应力分析和量化提取,不仅要解决一般环境单一应力下的可靠性设计,还要面对复杂环境多应力耦合下的可靠性设计,这也是目前微组装可靠性技术领域关注的热点问题。

  针对微组装失效控制实施的可靠性设计,前提是不影响产品既定的设计性能,同时适应现有的制造工艺能力,所以考虑微组装可靠性与性能及制造之间的协同设计,是系统性解决微组装可靠性设计所面临的挑战之二。

  微组装的这种协同设计,实际上是产品设计过程中的可靠性与性能和制造能力之间的权衡。在协同设计中,应综合考虑产品的可靠性、电性能、热性能、机械性能、防潮性、抗电磁干扰性能、抗辐照性能和可测试性等要求,特别是热性能、机械性能,既要考虑高密度组装带来的应力耦合问题,还要考虑微组装结构和材料随时间的退化问题;既要考虑短期工作期间的热、机械极限性能,也要考虑长期工作期间与热、机械应力相关的可靠性问题;既要考虑制造工艺技术能力,也要考虑制造工艺技术的稳定性和离散性问题。可以通过可靠性设计指标的分解,综合考虑各类性能之间的协同设计,量化制订设计指标;通过容差分析和从产品结构到制造工艺的健壮设计,解决参数漂移和性能退化带来的产品可靠性问题。

  例如,ITRS组装封装技术工作组,在2009年的SiP组装封装技术报告中,分析了可靠性设计对SiP的影响,提出了针对SiP的有效协同设计概念,认为应该考虑物理尺寸、热问题、机械问题、电气设计和可靠性问题之间的相互影响,通过各种性能要求与可靠性要求之间的权衡,实现SiP可靠性与性能之间的协同设计,比如在进行高密度布线间距设计时,需要在布线间距和沾污桥连短路风险之间进行权衡;需要同时在多个方面评估SiP可靠性,以获得最佳的协同设计,比如键合完整性、电迁移、潜在失效部位、板级可靠性、温度循环适应性、基板弯曲、热阻抗、元器件可靠性等,SiP协同设计程序,如图6所示。同时,该报告还针对SiP的芯片-封装-系统协同设计需求,重点从三个方面分析了SiP协同设计所面临的挑战:

  ●芯片-封装-系统的电气模拟和设计挑战:高密度布线耦合问题,EMC问题,3D键合丝问题;

  ●芯片-封装-系统的热模拟和设计挑战:80%~90%的热量传导至PCB,堆叠封装热问题突出;

  ●芯片-封装-系统的机械/应力模拟和设计挑战:板级弯曲、界面应力模拟,分层、开裂问题。

  可靠性模型的作用是评估产品的可靠性,包括失效率、寿命或可靠度的评估,可采用数理统计方法建模,也可采用基于失效物理的寿命-应力方法建模,通过可靠性模型的分析计算,可以评估微组装产品可靠性设计是否达到预期设计指标。微组装产品可靠性建模,考虑两个阶段:随机失效阶段的失效率模型、耗损失效阶段的可靠寿命模型,前者针对相互独立的随机失效事件,后者针对相互独立和相互关联的退化性事件。

  微组装产品在电路功能上没有考虑冗余设计,所以随机失效阶段的失效率建模,无须考虑可靠性并联模型,只需要考虑串联模型;耗损失效阶段的寿命建模,重点考虑多个退化机理对产品耗损寿命的影响,采用多机理竞争失效模式判定产品的失效时间。分析多机理退化参量的相关性及其可靠性建模问题,是系统性解决微组装可靠性设计所面临的挑战之一。

  对于微组装产品在随机失效阶段的可靠性建模,采用数理统计方法,虽然这一阶段的可靠性模型是最简单和最保守的串联模型,但各串联单元的应力响应提取是建模后可靠性评价的难点。

  在随机失效阶段,产品可能发生各种随机性失效,由于这些失效是受到随机质量因素或外界过应力冲击所导致的,对于微组装产品,随机失效阶段的各种随机失效模式相互独立,产品可靠性模型采用串联模型,其中微组装互连结构可以作为独立的串联单元考虑。

  因为,内装元器件的高密度集成,元器件之间的微组装互连和多层布线基板发生随机失效的问题更加突出;此外,从微组装可靠性设计分析的需要,单独考虑微组装互连对失效率的贡献,便于设计分析和问题的剥离,则,微组装产品失效率λ∑是内装元器件失效率λi与微组装失效率λj之和。

  对于产品在耗损失效阶段的可靠性建模,用失效物理和可靠性统计的方法,建立基于多机理或多模式竞争失效的产品寿命模型,并考虑多机理相互独立或相互关联的退化过程。

  在耗损失效阶段,产品耗损寿命终了的原因是性能退化,产品性能退化的发生,往往伴随着多个退化机理或多个退化通道(退化模式),多个机理可以发生在某个互连点上,如元器件焊点,亦可以发生在电路中不同的元器件上,产品最终失效是不同退化机理之间或不同退化模式之间的竞争结果,三个退化机理竞争失效示意图如图7所示,产品退化寿命决定于退化参量中最早达到失效阈值的退化机理,如果考虑每个退化机理的失效概率分布问题,产品退化寿命决定于寿命时间内累积失效概率(T

  产品中多个退化机理或退化模式之间的相关性与相互影响,决定了产品可靠寿命的评估结果,这种关联性是由产品电路和结构设计特性、产品不同部位同类工艺和材料、高密度组装多应力耦合因素以及退化物理过程的相互影响所引起的。采用协方差、相关系数分析方法,可以确定多个退化机理或退化模式间是否相关,以及相关的程度。若多个退化机理或退化模式不相关,则产品的可靠度由串联系统决定;若多个退化机理或退化模式相关,则产品可靠度由相关机理的多维联合概率密度计算获得,其分析的难点在于如何利用失效物理方法或试验统计方法,建立各相关退化机理的退化参量概率密度函数。

  微组装产品退化过程中,多个退化机理或退化模式之间,在退化进程中往往存在某种联系,确定退化机理之间的相关性和导致这种相关性的因素,目的是准确评估产品的可靠性,有针对性地优化设计产品。

  影响产品多个退化机理相互关联的因素,包括电路设计、结构设计、工艺设计和使用环境应力等因素,其核心是退化过程带来的应力变化和性能参数的相互影响。大量的失效分析案例和退化机理分析表明,这些退化机理之间的相关性,是一种典型的从属退化关系。

  从属退化,是指产品中由于某个元器件退化而引发其他元器件的加速退化或减速退化,或者由产品中互连焊点的某种退化机理引发另一种退化机理加速或减速退化。在从属退化因素的作用下,多个元器件或互连焊点的退化机理不再相互独立。比如,功能模块中,电路上某个器件性能退化,引起电路中另一个器件性能加速退化,它们之间存在因果关系的从属关系。

  协方差分析是建立在方差分析和回归分析基础上的一种统计分析方法,用于衡量两个随机变量的总体误差。期望值分别为E(X)与E(Y)的两个随机变量X与Y的协方差Cov(X,Y)定义为:

  通过退化参量之间的协方差统计分析,可以确定多个退化机理或退化模式是否相关,以及相关性的强弱。无论是共因退化机理还是从属退化机理,都可以在协方差中得到体现。

  相关系数是用于反映随机变量之间相关性密切程度的统计指标,用于度量多个退化参量的相关程度,以及它们之间是正相关还是负相关,可以用相关系数来描述。通过相关系数分析,可以进一步明确产品退化机理之间的相互影响和作用效果,确定产品退化的本质因素。

  产品在规定应力下,所有退化参量x1(t),x2(t),…,xn(t)之间均相对独立,相应的退化机理亦相互独立。

  这时,产品的可靠性模型可以等效为多个退化参量组成的串联系统,而产品的退化寿命是多个机理竞争的结果,以最早达到失效阈值的“短板机理”来表征产品的耗损寿命。

  产品在规定应力下,协方差元素所代表的退化参量之间存在关联,退化机理亦相互关联;若协方差矩阵的非对角线,则表示所有退化参量均存在关联,退化机理亦关联。

  这时,产品的可靠性模型不能完全等效为多个退化参量组成的串联系统,但产品的退化寿命仍是多个退化机理竞争的结果,以最早达到失效阈值的“短板机理”来表征产品的耗损寿命,产品此时的可靠度评估,需要通过建立多维随机变量的联合概率密度函数来获得。

  第一个问题是多个退化机理相互关联的可靠性建模。上述介绍已经知道,对于多个退化机理,当多个退化参量不相关时,产品可靠性建模采用串联模型;当多个退化机理相关时,如果相关性和退化参量的协方差可获得,产品可靠性建模可以通过数理统计的协方差矩阵,得到产品的联合概率密度分布函数[插图],难点是要解决每个单一退化参量的概率密度分布函数[插图];多个退化机理相关,但其相关性和相关程度未知,已知每个单退化量的边缘密度分布时,产品可靠性建模可以采用Copula函数融合多退化量的边缘密度分布[68],得到产品的联合概率密度分布函数,同样,难点是要建立每个单一退化参量的概率密度分布函数,并要考虑非线性退化带来的影响。

  通过串联可靠度模型计算结果,以及多退化参量的联合概率密度函数仿真结果表明,当忽略退化参量间的相关性时,得到的可靠度评估结果将比考虑相关性时得到的结果要小,或者说,假设退化参量具有独立性,将会低估产品的可靠性。因此,如果多机理可靠性评估的目的是支撑产品的可靠性设计,采用串联模型处理,不考虑多个退化参量之间的相关性,将得到一个比考虑相关性时更保守的可靠性设计方案,在产品可靠性设计时,亦可以按单机理退化控制来设计,其代价可能是牺牲一定的几何空间、产品重量和成本。

  第二个问题是多应力耦合的识别和提取。建立主要单一退化参量概率密度函数,是多机理微组装产品可靠性建模的核心基础,由于产品是通过微组装技术实现其高密度集成的,当产品在复杂环境下工作时,各元器件之间、微组装互连之间存在明显的多应力耦合,使各退化机理应力水平发生变化,如何有效识别退化部位微观区域的多应力耦合机制,量化提取耦合应力,对基于加速应力试验的模型的建立和耗损寿命外推至关重要,也是难点。

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  39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚

  V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...

  4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...

  4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...

  NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

  5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...

  NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

  5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...

  0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...

  1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...

  是一款线 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:

  是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...


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